台积电官宣1纳米，芯片技术再现新格局，摩尔定

作者：张馨予

　　三星、IBM、台积电看来是谁也不服谁，最终谁能成为芯片领域的领航者，需要用实力说话。

　　在芯片代工领域，对于台积电、三星来说算的上数一数二的企业了。在芯片工艺制程技术上可以说是你追我赶。其目的都是想保持各自在芯片制造领域的地位。

　　不过在现实的芯片中，最有说服力的还是最先进的5nm芯片。于此同时也让大家体验到了载有150多亿个晶体管的指甲盖大小芯片魅力所在。

　　?芯片制程领域新突破

　　?三星发布采用GAAFET结构3nm芯片

　　在今年的3月份，三星发布了一款3nm工艺制程芯片，采用全栅场效应晶体管（GAAFET）结构。并在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上公布了这款芯片技术特性。

　　并称其有两种类型的GAAFET：

GAAFET:这被称为具有“薄”鳍的纳米线。

MBCFET:称为具有“厚”鳍的纳米片。

　　很显然这种工艺制程芯片已超越台积电所采用的FinFET晶体管工艺。在这之后再现“王”者

　　?IBM全球首发2nm工艺制程芯片

　　IBM发布的这颗芯片同样是采用GAAFET晶体管技术，但这颗芯片上的晶体管密度却达到了3.33MTr /mm，也就是3.3亿个每平方毫米。

　　我们都知道华为5纳米麒麟9000芯片最多也就是150多亿个晶体管。而IBM这颗芯片集成度可以说是相当的大了。简直超乎想象。

　　而台积电、三星这次似乎是被“打脸”。这就好比“强中自有强中手”，谁也不想输。这就是芯片技术革命。

　　台积电官宣1nm

　　近日，据媒体消息称，台大与台积电、美国麻省理工学院联合研发出半导体新材料铋，有助于未来突破摩尔定律极限。并且该项研究成果已在《Nature》期刊公开发布。

　　该项技术突破点主要是采用了半导体金属铋(Bi)作为二维材料的接触电极，成功大幅降低电阻并提高电流，据称效能接近量子极限。

　　此项技术的突破有助于未来实现1nm以下原子级电晶体的级别。

　　早在ISSCC 2021国际固态电路会议上，台积电联席CEO刘德音曾公布了最新工艺进展情况，不仅3nm工艺进展顺利。并实现了EUV光源的技术性突破，功率可达350W。不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。

　　看来这次，台积电在先进工艺制程方面又处于行业领先低位。

　　摩尔定律或将不在是极限

　　摩尔定律是指:当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

　　这一定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。从而也揭示了科学技术的飞速速度，并在摩尔定律在发现后的40多年里产生了巨大影响。

　　从台积电官宣的1nm芯片工艺制程技术来看，未来摩尔定律极限有可能会再次被突破。那么之前的关于摩尔定律已接近物理极限似乎是不成立了。

　　给我们的启发

　　当然了，在这里我们也不能总当吃瓜的群众，这项技术上的突破，也给我们芯片制造技术带来新的思路。