鏖战3纳米！三星之后台积电宣布下半年量产，移

作者：王韵壹、李英、熊慧卿

全球半导体制程工艺向3纳米推进。继三星在今年6月30日抢先宣布3纳米量产后，台积电3纳米量产正在稳步推进。

8月18日，台积电副总监陈芳在2022年世界半导体大会上表示，台积电3纳米芯片将在今年下半年量产，已经对部分移动和HPC（高性能计算）领域的客户交付，如果有手机的客户当下采用3纳米芯片，明年产品就能问世。

在5纳米芯片量产两年后，芯片工艺推进到又一个关键的工艺节点——3纳米。三星和台积电在3纳米工艺上进行激烈的赛跑，从时间上，三星领先一步，台积电要晚几个月时间。

三星公司视觉中国资料图

今年6月30日，三星率先宣布量产3纳米全环绕栅极（GAA）制程工艺借点，成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。

台积电之前官方多次对外释放的消息是，3纳米将在今年下半年量产。今年6月份，台积电在2022年北美技术论坛上披露，今年下半年量产的N3技术（3纳米），采用FinFET 技术。

因此说，台积电在3纳米技术上延续使用多年的FinFET架构，相对保守，而三星在3纳米上更具冒险性，选择GAA工艺。GAA工艺被认为改善了FinFET架构某些不足，能提升芯片的功率以及效率。

台积电公司视觉中国资料图

台积电在上述技术论坛上宣布3纳米家族技术演进规划，2022-2025年陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等制程，后续亦会推出优化后的N3S制程，涵盖智能手机、物联网、车用电子、高性能运算等四大平台应用。

这也意味着台积电3纳米技术将独吃2到3年，尤其是人工智能芯片和高性能运算芯片，为台积电带来可观的收入和利润。

三星表示，第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术，大幅提升了效能。5纳米FinFET工艺相比，第一代3纳米工艺可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。三星计划推出两种3纳米GAA工艺——3GAE和3GAP。

全球芯片代工两大巨头在3纳米工艺量产后开始争抢客户。最新的消息显示：尽管三星电子积极争夺3纳米芯片订单，但台积电继续从苹果和英特尔等供应商那里获得3纳米芯片订单承诺。

日前，台媒报道称，苹果将成为首家采用台积电3纳米工艺的用户，首款产品可能是M2 Pro芯片以及iPhone 15系列将会搭载的A17芯片。

据DIGITIMES最新援引消息人士的话报道称，三星正在努力扩大其3纳米客户组合，但尚未取得重大进展。但鉴于无晶圆厂供应商的供应商多元化战略，以及对其与三星移动部门业务的其他考虑，高通被视为三星3纳米 GAA 工艺最有可能的客户。

由于良好的性能以及越来越大的规模优势，台积电近年发展众多客户，包括英伟达、AMD、联发科、高通等众多科技巨头都把订单交给了台积电。

DIGITIMES报道称，AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通等厂商均已向台积电下达3纳米芯片订单。