新思科技(SNPS.US)与三星合作 加速推广变革性3纳米
新思科技(SNPS.US)近日宣布，其Fusion Design Platform 已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片，验证了下一代3纳米(nm)环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积(PPA)方面的优势。此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果，旨在加快提供高度优化的参考方法学，实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能。
新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程，以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户，可在高性能计算(HPC)、5G、移动应用和人工智能 (AI) 应用领域, 为下一代设计实现理想PPA目标。
据了解，根据摩尔定律，晶体管尺寸要进一步缩小，而GAA架构为更高的晶体管密度提供了经过流片验证的途径。GAA架构改进了静电特性，从而可提高了性能并降低了功耗，并带来了基于纳米片宽度这一工艺矢量的全新优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合，扩大了优化解决方案的空间，从而更精细化地控制总体目标设计PPA指标的实现。新思科技和三星开展密切合作，加速这一变革性技术的可用性并进一步提高效能，从而在新思科技的Fusion Compiler 和IC Compiler II中实现了全流程、高收敛度优化。
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